All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier
(11588 ürün mevcut)
Bir ko-sputtering cihazı, vakum ortamı, elektrik alanları ve gaz iyonları aracılığıyla çalışır. Belirli kaplama ihtiyaçları için çeşitli türler sunar.
Magnetron Ko-Sputtering Makineleri
Klasik Türler:
İki hedef içerir: biri, çöktürülmesi gereken istenen malzemeyi elde etmek için, diğeri ise elde edilen filmin özelliklerini geliştirmek içindir; örneğin, dielektrik sabiti, beklenen filmin kalitesini elde etmek için olmazsa olmazdır. Ayrıca, dengesiz bir magnetron sputtering cihazı veya asimetrik bir magnetron sputtering cihazı olabilir. Dengesiz mod hem kalıcı mıknatıslar hem de elektromanyetik alanlar kullanırken, dengesiz mod yalnızca kalıcı mıknatıslara dayanır. Dengesiz varyant, daha yüksek yoğunlukta plazma ve iyonlara neden olabilir. Bu parçacıkların alt tabakaya çarptığı enerjiyi ve açıyı değiştirebilirler. Dengesiz cihaz, daha yoğun şekilde paketlenmiş filmlerle sonuçlanabilirken, dengeli cihaz daha gözenekli olabilir ve sütunlu bir yapıya sahip olabilir.
Reaktif Ko-Sputtering Makineleri
Süreç sırasında, örneğin oksijen veya azot gibi reaktif bir gaz, odaya girer ve metal hedefle reaksiyona girer. Bu reaksiyonun sonucu, daha sonra alt tabakaya çöktürülen bir bileşik veya oksit oluşturmaktır.
Ultra Hızlı Ko-Sputtering Makineleri
Geniş alanlı çöktürme ihtiyaçları ve düşük sıcaklıklı alt tabakalar için çalışır. Öncül teslimat ve plazma aktivasyon teknikleri, numuneleri eşit şekilde ve hızla kaplamak için kullanılır. Tipik çöktürme oranları 10-100 nm/dakika kadar yüksektir.
Nano Kompozit Ko-Sputtering Makineleri
Bu teknik, metalik, yarı iletken, manyetik ve dielektrik nanoparçacıkları amorf bir matrisle birleştirir. Amorf matris tipik olarak SiO2 olacaktır, ancak diğer oksitler veya nitrürler olabilir.
Güneş Hücresi Ko-Sputtering Makineleri
İnce film güneş hücreleri, DC magnetron ko-sputtering kullanılarak yapılabilir. Bu yöntemle genellikle çöktürülen film türleri arasında metal filmler, şeffaf iletken oksitler (TCO), kalkojenaitler, örneğin CuInSe2 ve AIIIBV alaşımları bulunur. Çöktürülen yaygın metalik filmler Al, Mo ve Ag'dir. Deneysel olarak, yöntemler %12-%14 verimliliğe kadar %17'ye kadar sahip olabilir.
Büyük Ölçekli Ko-Sputtering Makineleri
Geniş alanlı alt tabakalar veya toplu işleme, Derin Reaktif İyon Eşitleme (DRIE) ile yapılabilir. Florokarbon polimerinin ve iyonik aşındırma adımının dönüşümlü çöktürmesinden oluşur. Propan, odaya akar ve bir RF alanı oluşur. Daha sonra polimer, iyon destekli aşındırma adımına elektrokimyasal olarak giderilir.
Çok Katmanlı Ko-Sputtering Makineleri
İnce filmlerin çok katmanlı yapıları oluşturmak için benzer çöktürme koşulları altında iki farklı malzemenin ardışık ve alternatif çöktürmesi. Ayrıca, çift katmanlar ve süper kafesler, [111] yönünde anizotropik kristalize manyetik malzemeler veya SiO2 oksit matrisinde GdFeGd gibi ters çevrilmiş manyetik malzemeler içerebilir. Bazı durumlarda, ZrO2, Al2O3 veya Si3N4 gibi manyetik olmayan malzemeler kullanılabilir.
Haftalık Muayene:
Kullanıcılar, haftalık olarak ko-sputter cihazının sistematik bir muayenesini gerçekleştirmelidir. Vakum odasının bütünlüğünü, sızıntı veya hasar belirtisi olup olmadığını kontrol etmelidirler. Ayrıca, kullanıcılar, anormal aşınma, yırtık veya kirlilik açısından sputter hedeflerini ve alt tabaka tutucularını incelemelidirler. Ayrıca, sputter cihazı için vakum pompası yağını kontrol etmeli ve kirlenme veya bozulma belirtileri gösteriyorsa hemen değiştirmelidirler.
Aylık Bakım:
Kullanıcılar, vakum odasının ve alt tabaka tutucularının derinlemesine temizliğini ayda en az bir kez gerçekleştirmelidir. Kalan veya kirleticileri gidermek için yumuşak, aşındırıcı olmayan malzemeler kullanabilirler. Ayrıca, basınç göstergelerini kalibre etmeli ve doğru okumalar gösterdiğinden emin olmalıdırlar. Kullanıcılar ayrıca sputter çöktürme hızını yakından izlemelidir. Herhangi bir dalgalanma fark ederlerse, olası nedenleri araştırmalı ve bunları hemen çözmelidirler.
Üç Aylık Hedef Değişimi:
Kullanıcılar, her üç ayda bir, kullanılan malzemeye veya sputtering frekansına bağlı olarak sputter hedeflerini değiştirmeyi düşünmelidir. Sahipler ayrıca, herhangi bir hasar veya aşınma belirtisi açısından RF veya DC güç kaynağı kablolarını da kontrol etmelidir. Herhangi birini bulurlarsa, sputtering işlemini etkilememek ve güç dağıtımının etkili ve güvenli olmasını sağlamak için bunları derhal tamir etmeli veya değiştirmelidirler.
Yıllık Vakum Sızdırmazlık Servisi:
Kullanıcılar, yılda en az bir kez, ko-sputtering cihazının vakum contalarını incelemeli ve bakımlarını yapmalıdır. Bu süre zarfında kullanıcılar vakum contalarını iyice temizlemeli ve hasar veya aşınma belirtisi olup olmadığını kontrol etmelidirler. Hasarlılarsa, optimum vakum bütünlüğünü korumak için değiştirilmelidirler. Ek olarak, kullanıcılar bakım günlüklerini ve sputtering parametrelerini gözden geçirmelidirler. Sistemin performansını değerlendirmeli ve optimum şekilde çalıştığından emin olmak için gerekli ayarlamaları yapmalıdırlar.
Cihazın uygulama senaryoları çok yönlüdür. Elektronik, optik, biyomedikal, fonksiyonel seramikler, yüzey mühendisliği vb. gibi çeşitli alanları kapsar.
Alıcıların, ihtiyaçlarına uygun kaplayıcıyı seçerken göz önünde bulundurması gereken bazı önemli parametreler ve uygulama yönleri vardır:
Katman Malzemeleri
Malzeme sputtering kaplayıcılarının ana amaçlarından biri, görüntüleme amaçlı iletkenliği iyileştirmek için metalik bir katmanı metalik olmayan bir yüzeye çöktürmek olduğundan, kaplama malzemesi çok önemlidir. Karbon, altın, platin ve gümüş gibi çeşitli kaplama malzemeleri, diğerlerinin yanı sıra farklı özelliklere sahiptir.
Katman Kalınlığı
SEM aralığı için tipik kaplama kalınlığı yaklaşık 3 ila 20 nanometredir. Bu kalınlık, numunenin ince yapısal ayrıntılarının çoğunu gizlemeden, numune için iletken bir yol oluşturmak için genellikle yeterlidir.
Sputtering Hızı
Bu, malzemenin numune üzerine çöktürüldüğü hızdır. Daha yüksek bir sputtering hızı, kaplama süresini azaltabilir ancak eşit olmayan kaplamaya yol açabilir. Kaplama hızı ve homojenlik arasında genellikle bir denge gereklidir.
Kaplama Homojenliği
Alıcılar, numunenin tüm yüzeyinde homojen kaplamalar sağlayan makineler aramalıdır. Çoğu durumda, homojen olmayan kaplamalar, analiz veya görüntüleme sırasında yanlış sonuçlar verebilir.
Mikrotom
Belirli uygulamalar için, alıcılar, hassas numune kesimi için entegre bir mikrotom içeren bir kaplayıcıya ihtiyaç duyabilirler. Bu özelliği içeren bir cihaz seçmek, genel hazırlama sürecini kolaylaştırabilir.
Kullanım Kolaylığı
Basit çalışmayı sağlamak için, kaplayıcının arayüzü ve kontrolleri, makineyi düzenli olarak kullanması gerekenler için kullanıcı dostu olmalıdır. Farklı kaplama türleri için ön ayarlı programlara sahip sputter kaplayıcılar, süreci hızlandırabilir ve tekrarlanabilirliği artırabilir.
Çevresel Kontrol
Bazı kaplayıcılar, kaplama kararlılığını ve tekrarlanabilirliğini iyileştirmeye yardımcı olabilecek kontrollü ortamlara sahiptir. Bu durumda, alıcılar böyle bir sistemin faydalarını ve toplam maliyet üzerindeki etkisini göz önünde bulundurmalıdır.
Maliyet
Genellikle, sputter kaplayıcılar oldukça pahalı ekipmanlardır. Bu nedenle, alıcılar, satın alma işlemi yapmadan önce makinenin tüm özelliklerini ve özelliklerini maliyetiyle ilgili olarak dikkatlice göz önünde bulundurmalıdır.
S1. Ko-sputtering ile ko-buharlaştırma arasındaki fark nedir?
C1. Belirli taleplere bağlı olarak, adaylar ko-sputter ve ko-buharlaştırma çöktürme yöntemlerini değiştirebilir. Aynı elementin ince filmlerini üretmelerine rağmen, bu iki yöntem farklıdır. Ko-sputtering tekniği kullanılırsa, alt tabakaların karışım oranı değiştirilebilir. Ayrıca, yöntem düşük alt tabaka sıcaklığıyla iyi çalışır. Homojen alaşım filmleri her iki yöntemle de büyütülebilirken, karmaşık bileşikler yalnızca ko-sputtering kullanılarak çöktürülebilir. Öte yandan, ko-buharlaştırma daha hızlı ve daha uygun fiyatlıdır.
S2. Ko-sputtering'de alaşım hedefleri kullanılabilir mi?
C2. Farklı fiziksel özelliklere sahip malzemelerden yapılmış bir alaşım hedefi, ko-sputtering'de kullanılabilir. Bununla birlikte, alaşımın bileşenlerinin oranı değişebilir. Başka bir deyişle, bazı malzemeler alaşım hedefinden tercihli olarak sputterlanabilir.
S3. Ko-sputtering'de reaktif ve reaktif olmayan hedefler kullanılabilir mi?
C3. Reaktif olmayan ve reaktif hedefleri aynı anda ko-sputterlamak mümkündür. Reaktif olmayan hedef, işlem sırasında reaktif hedef için tampon veya alt tabaka görevi görebilir. Sonuç olarak, reaktif ve reaktif olmayan elementlerin karışımları üretilebilir.
S4. Ko-sputtering ile çöktürülen bir filmin bileşimi nasıl kontrol edilebilir?
C4. Hedefin sputtering gücü ve basıncı, alt tabaka sıcaklığı, çöktürme hızı ve filmin bileşimi, çöktürme işlemi sırasında ayarlanabilen değişkenlerdir. Ayrıca, film, tavlama veya oksidasyon gibi çöktürme sonrası işlemlerle değiştirilebilir.
